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首批芯片交付在即,长鑫存储增持DRAM专利“备打专利战”

被称为中国三大存储芯片厂商之一的长鑫存储在专利来源方面取得重要突破。

12月5日,长鑫存储在官方微信公号宣布,通过加拿大知识产权公司WiLAN获得大量来源于英飞凌的动态随机存取存储芯片(DRAM)技术专利的实施许可。由于涉及商业秘密条款,双方并没有披露交易金额。

长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示:“两份协议标志着,在完善知识产权组合、进一步强化技术战略和保障DRAM业务运营方面,长鑫存储采取了新举措。”

观察者网注意到,目前市场上主要有两种存储器产品,一种是DRAM(动态随机存储器),另一种是NAND Flash(闪存)。中国目前在这两个领域基本都依靠进口。

不过让人欣慰的是,长鑫存储内存芯片自主制造项目已正式投产,首批芯片今年底将会交付客户 。除此之外,紫光集团今年也开始加码DRAM领域,并已在重庆布局DRAM存储芯片工厂。

但是,中国企业在DRAM领域仍然任重道远。目前在该领域,三星、SK海力士、美光的全球市场份额合计接近95%,更关键的是,这三家企业同时掌控着诸多DRAM技术专利。

对此,财新网6日援引一名半导体行业资深人士的话报道称:此次长鑫存储拿到更多的技术授权和专利有防御作用。当竞争对手发起专利战,一些基础的专利可以用来“打仗”。

长鑫存储未来厂房效果图 图自公司官网

首批DRAM芯片年底交付

据长鑫存储官方微信5日介绍,长鑫存储与WiLAN全资子公司Polaris Innovations Limited已达成专利许可协议和专利采购协议。这些专利由德国制造商奇梦达开发,Polaris从其母公司英飞凌购得。

依据双方达成的独立专利采购协议,长鑫存储从Polaris购得相当数量的DRAM专利,此专利许可和专利采购协议中所包括的交易金额等商业秘密条款未予披露。

长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示:“长鑫存储将不断增加在半导体核心技术和高价值知识产权方面的积累。两份协议标志着,在完善知识产权组合、进一步强化技术战略和保障DRAM业务运营方面,长鑫存储采取了新举措。”

而WiLAN总裁兼首席执行官Michael Vladescu坦言:“这两份协议表明,长鑫存储高度重视知识产权,致力于持续投入研发。我们相信,由此获得的权益将使长鑫存储在业内拥有竞争优势,助力长鑫存储持续开发DRAM关键技术。”

DRAM即动态随机存储器,是最常见的系统内存,被喻为连接中央处理器的“数据高速公路”,广泛用于PC、手机、服务器等领域。目前,中国存储芯片厂商已开始在该领域不断加大投入并已有所进展。

2016年,合肥长鑫存储项目启动。今年9月20日,长鑫存储宣布:总投资约1500亿元的内存芯片自主制造项目正式投产。其与国际主流DRAM同步的10纳米级第一代8Gb DDR4也首度亮相,一期设计产能达每月12万片晶圆,首批芯片今年底将会交付客户

新华社当时援引业内专家介绍称,长鑫存储DRAM项目投产标志我国在内存芯片领域实现量产技术突破,拥有了这一关键战略性元器件的自主生产能力。

除此之外,紫光集团今年也开始加码DRAM领域。6月30日,紫光集团宣布成立DRAM事业群,集团联席总裁刁石京任董事长、全球执行副总裁高启全任CEO。该集团还计划于年底在重庆开工建设DRAM工厂,主要制造12英寸的DRAM存储芯片。

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